国立高等専門学校機構、大分高専生が次世代パワー半導体デバイスの開発に挑戦

国立高等専門学校機構は5月31日、大分工業高等専門学校と大分デバイステクノロジーが、「次世代パワー半導体デバイスの開発」に挑戦したと発表した。

所属研究室内で形状を作成する高専学生

共同研究では高専の特色を活かして、在学中の5年生が主体となって研究開発に取組んだ。研究は次世代パワー半導体の製造技術構築を目的として、特異形状の半導体接合構造の電界特性解析を行い、実装可能な技術知見を追求するとともに、不定形構造の電界評価に関する理論展開を検討したもの。

この研究開発が進むことで、複雑な形状における半導体の性能評価や、構成する部品の材料を変更したときの性能評価をすることが可能となり、短期間における次世代パワー半導体の開発が期待される。

研究の実施にあたっては、学生が主体となって、企業技術者と議論を行うことで、高専から即戦力となる技術者を育成することを目的とする。

共同研究は始まったばかりで、2021年度の研究結果から、リード線形状における機器の内部に現れる電界特性を表現することができたが、実用に至るには磁気特性の解明も必要。

2022年度は機器内の電界特性と磁気特性の関係性を解明するために、引き続き共同研究を行う。日本政府による半導体に関する生産等への支援や、九州・沖縄地区の9高専を中心とする「半導体人材育成事業」の取り組みが始まることから、産官学が連携し、同研究が更なる大きな事業へ展開することが期待されるという。

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大分デバイステクノロジー

大分工業高等専門学校